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功能描述：IGBT 模块 Compact Module Complex
RoHS：否
制造商：Infineon Technologies
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.95 V
在25 C的连续集电极电流：230 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：445 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：34MM
封装：